提高烘焙效率的方法？

1. 干性配料在稱量的時候,，一定要保證使用的是干的不沾水的量具,。

2. 稱量面粉、可可粉等粉末狀的配料時,，最好是用量勺勺入量杯,，并且要用小刀水平撫平每一勺,。紅糖是唯一一種你需要直接倒入量杯的配料。

3. 用干凈的量杯分別去裝水,、牛奶,、蜂蜜和其他液體配料。量杯每次用過后,，在稱量其他配料前都最好用烹飪噴霧劑在內(nèi)壁噴一層烹飪油,。

4. 制作紙杯蛋糕或者是瑪芬時，如果烤盤沒裝滿,，可以在空的瑪芬杯中裝入水,。水可以讓紙杯蛋糕烘焙、膨脹得更均勻,。

礦山效率提高方法,？

現(xiàn)在很多人工采礦已經(jīng)不常見了，大部分都是用上了智能產(chǎn)品來代替人工,。比如說,，山西一礦山就用上了一款國辰無人采樣機(jī)器人。

提高堿浸效率的方法,？

可以在以氫氧化納為基的堿浸蝕溶液中加入硝酸納或亞硝酸鈉,，再加葡萄酸鈉等添加劑的方法，除此之外還有槽液濃度,、溫度,、浸蝕時間等方面的因素會影響工業(yè)鋁型材堿浸蝕的速度。

槽液濃度

將氫氧化鈉溶于水中就成了堿性溶液,，這種溶液通常被用于鋁型材化學(xué)清洗槽溶液使用,，也就是堿浸蝕溶液，堿浸蝕溶液中的氫氧化鈉都是以游離子的狀態(tài)存在的,，隨著氫氧化鈉的濃度上升到250g/L,，工業(yè)鋁型材的浸蝕速度也隨著增加,，由此可見，槽液內(nèi)氫氧化鈉的濃度越高,，浸蝕速度越快,，不過現(xiàn)在很多企業(yè)為了節(jié)省成本,，將氫氧化鈉的含量控制在50-100g/L的范圍之內(nèi),。為了控制氫氧化鈉的含量，可以通過添加長壽添加劑的方法,，在槽液中添加葡萄糖酸鹽,，使游離氫氧化鈉的含量在70g/L的范圍之內(nèi)。

溶鋁量

將鋁型材放于氫氧化鈉堿溶液中,，鋁與氫氧化鈉起化學(xué)反應(yīng)生成氫氧化鋁,，受生成物的影響，鋁的浸蝕速度會降低,，實驗證明,，當(dāng)溶鋁量為26g/L，氫氧化鈉的濃度為50g/L時,，溫度越高,，鋁的浸蝕速度越慢，由此可見,，槽液濃度保持不變的情況下,，溶鋁量越高，浸蝕速度越慢,，即溶鋁量與浸蝕速度成反比,。要通過計算來獲得合適的溶鋁量，注意觀察槽液的變化,，根據(jù)情況將溶鋁量控制在規(guī)定的范圍之內(nèi),。

槽液溫度

通過對6063鋁型材的試驗我們得出結(jié)論,，隨著槽液的溫度上升,，鋁的堿浸蝕速度也快速上升，溫度每提升10℃,，鋁浸蝕反應(yīng)的速度就會提高1倍,，所以溫度越高，鋁型材堿浸蝕速度就越快,，也就是說槽液溫度與浸蝕速度成正比,。這是由于鋁型材在堿浸蝕溶液中浸蝕是一種放熱反應(yīng)，可放出20kw/m2的熱量,，通常需要安裝一套有足夠冷卻能力的冷卻裝置,，使槽液溫度保持在50-60℃2范圍之內(nèi),，此裝置在冬天的時候又可以當(dāng)做加熱裝置。

浸蝕時間

在堿浸蝕反應(yīng)中,，工業(yè)鋁型材的浸蝕時間越長,，鋁溶解的重量損失就越大，而浸蝕時間與浸蝕速度并沒有直接的關(guān)系,，縮短浸蝕時間只能減少鋁溶解的重量損失,，減少堿浸蝕的藥劑消耗，與浸蝕速度不成比例,，如果想要獲得光滑的鋁型材表面,，可以先采取機(jī)械刷光或噴砂的方法來加工，或者通過提高模具質(zhì)量和擠壓工藝質(zhì)量來達(dá)到光亮平整的效果,。

提高發(fā)酵效率的方法,？

想要加快有機(jī)肥的發(fā)酵效率一般可以向肥料中添加EM菌液、谷糠,、雜草,、作物的秸稈（要切碎）、植物的莖葉,、鋸末木屑,、食用菌的基質(zhì)殘渣和餅粕等物質(zhì)，以促進(jìn)肥料中的微生物菌群的生長繁殖,，從而有效地縮短有機(jī)物降解所需要的時間,。

另外提高發(fā)酵產(chǎn)率與速度的方法 ：通過控制發(fā)酵的溫度、PH值,、溶解氧,，使培養(yǎng)基組成優(yōu)化、選擇最適宜的培養(yǎng)基,，向培養(yǎng)基中添加適宜的營養(yǎng)物質(zhì)也可以提高發(fā)酵效率,。

提高機(jī)械效率的方法？

減小機(jī)械質(zhì)量,！ 機(jī)械效率=有用功/總功 而總功=有用功+無用功 以滑輪為例 有用功：這個機(jī)械提的重物做的功 無用功：提重物時要提機(jī)械（把滑輪提起,，及繩子與滑輪的摩擦力）做的功 所以無用功越小機(jī)械效率愈大 增大機(jī)械效率的方法。

. 根據(jù)公式可知：如果有用功不變,，我們可以通過減小額外功.(減少機(jī)械自重.減少機(jī)械的摩擦)來增大機(jī)械效率,，（例如我們用輕便的塑料桶打水，而不用很重的鐵桶打水,，就是運(yùn)用這個道理）,；如果額外功不變，我們可以通過增大有用功來提高機(jī)械效率,；（例如,，在研究滑輪組的機(jī)械效率時,，我們會發(fā)現(xiàn)同一個滑輪組，提起的重物越重,，機(jī)械效率越高,，就是這個道理）；當(dāng)然了,，如果能在增大有用功的同時,，減小額外功更好。

提高焙燒效率的方法是,？

（1）提高焙燒效率的方法是粉碎固體,；

（2）根據(jù)流程，焙燒時,，通入空氣，產(chǎn)生MoO3和SO2,，即化學(xué)方程式為2MoS2＋7O22MoO3＋4SO2,；氧化產(chǎn)物是還原劑被氧化后得到產(chǎn)物，根據(jù)化學(xué)反應(yīng)方程式Mo,、S的化合價升高,，即氧化產(chǎn)物是MoO3和SO2；

（3）CO2的電子式為,；根據(jù)問題（5）,，堿浸時，Mo元素以MoO42－的形式存在,，即“堿浸”時含鉬化合物發(fā)生的主要離子反應(yīng)是MoO3＋CO32－=MoO42－＋CO2↑,；

（4）根據(jù)鉬精礦中含有成分，以及流程,，該步驟是除去的Pb元素,，廢渣是PbS；

提高光源發(fā)光效率的方法,？

一,、透明襯底技術(shù)ingaalpled通常是在gaas襯底上外延生長ingaalp發(fā)光區(qū)gap窗口區(qū)制備而成。與ingaalp相比,gaas材料具有小得多的禁帶寬度,因此,當(dāng)短波長的光從發(fā)光區(qū)與窗口表面射入gaas襯底時,將被悉數(shù)吸收,成為器件出光效率不高的主要原因,。

在襯底與限制層之間生長一個布喇格反射區(qū),能將垂直射向襯底的光反射回發(fā)光區(qū)或窗口,部分改善了器件的出光特性,。

一個更為有效的方法是先去除gaas襯底,代之于全透明的gap晶體。由于芯片內(nèi)除去了襯底吸收區(qū),使量子效率從4%提升到了25-30%,。

為進(jìn)一步減小電極區(qū)的吸收,有人將這種透明襯底型的ingaalp器件制作成截角倒錐體的外形,使量子效率有了更大的提高,。二、金屬膜反射技術(shù)透明襯底制程首先起源于美國的hp,、lumileds等公司,金屬膜反射法主要有日本,、臺灣廠商進(jìn)行了大量的研究與發(fā)展,。

這種制程不但回避了透明襯底專利,而且,更利于規(guī)模生產(chǎn)。其效果可以說與透明襯底法具有異曲同工之妙,。

該制程通常謂之mb制程,首先去除gaas襯底,然后在其表面與si基底表面同時蒸鍍al質(zhì)金屬膜,然后在一定的溫度與壓力下熔接在一起,。

如此,從發(fā)光層照射到基板的光線被al質(zhì)金屬膜層反射至芯片表面,從而使器件的發(fā)光效率提高2.5倍以上。三,、表面微結(jié)構(gòu)技術(shù)表面微結(jié)構(gòu)制程是提高器件出光效率的又一個有效技術(shù),該技術(shù)的基本要點是在芯片表面刻蝕大量尺寸為光波長量級的小結(jié)構(gòu),每個結(jié)構(gòu)呈截角四面體狀,如此不但擴(kuò)展了出光面積,而且改變了光在芯片表面處的折射方向,從而使透光效率明顯提高,。

測量指出,對于窗口層厚度為20μm的器件,出光效率可增長30%。

當(dāng)窗口層厚度減至10μm時,出光效率將有60%的改進(jìn),。

對于585-625nm波長的led器件,制作紋理結(jié)構(gòu)后,發(fā)光效率可達(dá)30lm/w,其值已接近透明襯底器件的水平,。四、倒裝芯片技術(shù)通過mocvd技術(shù)在蘭寶石襯底上生長gan基led結(jié)構(gòu)層,由p/n結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過上面的p型區(qū)射出,。

由于p型gan傳導(dǎo)性能不佳,為獲得良好的電流擴(kuò)展,需要通過蒸鍍技術(shù)在p區(qū)表面形成一層ni-au組成的金屬電極層,。p區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴(kuò)展,ni-au金屬電極層就不能太薄,。

為此,器件的發(fā)光效率就會受到很大影響,通常要同時兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個因素,。但無論在什么情況下,金屬薄膜的存在,總會使透光性能變差。

此外,引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響,。

采用ganled倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題,。五、芯片鍵合技術(shù)光電子器件對所需要的材料在性能上有一定的要求,通常都需要有大的帶寬差和在材料的折射指數(shù)上要有很大的變化,。不幸的是,一般沒有天然的這種材料,。

用同質(zhì)外延生長技術(shù)一般都不能形成所需要的帶寬差和折射指數(shù)差,而用通常的異質(zhì)外延技術(shù),如在硅片上外延gaas和inp等,不僅成本較高,而且結(jié)合接口的位錯密度也非常高,很難形成高質(zhì)量的光電子集成器件。

由于低溫鍵合技術(shù)可以大大減少不同材料之間的熱失配問題,減少應(yīng)力和位錯,因此能形成高質(zhì)量的器件,。

隨著對鍵合機(jī)理的逐漸認(rèn)識和鍵合制程技術(shù)的逐漸成熟,多種不同材料的芯片之間已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)互相鍵合,從而可能形成一些特殊用途的材料和器件,。

如在硅片上形成硅化物層再進(jìn)行鍵合就可以形成一種新的結(jié)構(gòu)。

由于硅化物的電導(dǎo)率很高,因此可以代替雙極型器件中的隱埋層,從而減小rc常數(shù),。

六,、激光剝離技術(shù)(llo)激光剝離技術(shù)(llo)是利用激光能量分解gan/藍(lán)寶石接口處的gan緩沖層,從而實現(xiàn)led外延片從藍(lán)寶石襯底分離。技術(shù)優(yōu)點是外延片轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率的熱沉上,能夠改善大尺寸芯片中電流擴(kuò)展,。n面為出光面:發(fā)光面積增大,電極擋光小,便于制備微結(jié)構(gòu),并且減少刻蝕,、磨片、劃片,。更重要的是藍(lán)寶石襯底可以重復(fù)運(yùn)用,。發(fā)光二極管(led)-原理發(fā)光二極管是一種特殊的二極管。和普通的二極管一樣,發(fā)光二極管由半導(dǎo)體芯片組成,這些半導(dǎo)體材料會預(yù)先通過注入或摻雜等工藝以產(chǎn)生pn結(jié)結(jié)構(gòu),。與其它二極管一樣,發(fā)光二極管中電流可以輕易地從p極(陽極)流向n極(負(fù)極),而相反方向則不能,。兩種不同的載流子:空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向pn結(jié)。當(dāng)空穴和電子相遇而產(chǎn)生復(fù)合,電子會跌落到較低的能階,同時以光子的方式釋放出能量,。

提高寫作業(yè)效率的方法,？

01

學(xué)習(xí)之前先熱身

這個“熱身”和跑步的“熱身”差不多,，即：做好準(zhǔn)備工作，為之后的行動掃清障礙,。

02

擺好文具再學(xué)習(xí)

但這也正是培養(yǎng)孩子責(zé)任心,，進(jìn)一步增強(qiáng)自己的東西由自己整理意識的最好時機(jī)。管理好文具是培養(yǎng)學(xué)習(xí)習(xí)慣的開始,。

03

作業(yè)前要先復(fù)習(xí)

寫作業(yè)前應(yīng)該先將今天學(xué)過的復(fù)習(xí)一遍,，不復(fù)習(xí)就寫作業(yè)，會很慢,。作業(yè)可能是完成了,，但是，并沒有學(xué)會,，并沒有融會貫通,。

04

理順作業(yè)思路

要想好先寫什么，再寫什么,，把哪門科目放到前頭,，哪科放在最后。一定要理清學(xué)習(xí)的順序和花費在不同科目上的時間

加氫提高脫硫效率的方法,？

提高脫硝脫硫效率是根據(jù)原設(shè)備的反應(yīng)原理來確定，就常用的SCR脫硝和石灰石濕法脫硫來說,，脫硝效率取決于催化劑,、還原劑和反應(yīng)環(huán)境，可以設(shè)置足夠的催化劑（足夠是因為到了一定數(shù)量后再增加也不會提高效率）,，或者增加還原劑量也就是氨（噴氨量太多也會造成堵塞腐蝕等問題）,，提高還原溫度（溫度區(qū)間必須在催化劑最佳效率范圍）等方法；

而提高脫硫效率最直接的方法就是增加石灰石漿液量（連帶漿液泵廠用電量增加）,、優(yōu)化噴淋層布置或煙氣流等等,。

但是上述方法有可能影響機(jī)組經(jīng)濟(jì)性或穩(wěn)定性，因此提高優(yōu)化效率需要綜合評估,，取最佳方式,。

提高蝸桿傳動效率的方法？

1.蝸桿主動時,，效率η=tanγ／tan(γ+Φv),，效率η隨蝸桿螺旋線導(dǎo)程角γ的增大而增大，但通常γ＜30°,；減小當(dāng)量摩擦角Φv也可提高效率η,，在由齒輪傳動和蝸桿傳動組成的多級傳動中，若轉(zhuǎn)速不太高,，通常將蝸桿傳動放在高速級,，以提高相對相對滑動速度Vs,，進(jìn)而降低量摩擦角Φv，提高效率η,。

2.實踐證明,，當(dāng)采用鋼制蝸桿與青銅渦輪配合時，渦輪機(jī)構(gòu)具有優(yōu)良的減摩性和摩擦相容性,，也有利于提高效率η,。